Danasîna Kurmanciya Germê ya Aluminium Nitride

Aluminium Nitride (Aln) xwedî taybetmendiyên hêzek bilind, berxwedana bilind a voltaja, û lihevhatina germê bi silicon, hwd, ne tenê wekî qonaxa orjînal a xurt a ji bo seramîkên teknîkî , nemaze Li qada substrate substrate, çargoşe ya seramîk û materyalên pakkirinê yên ku di salên dawî de agir bûne, û performansa wê pir ji ya Alumînê derbas dibe.

Di nav taybetmendiyên girîng ên Aluminium de, herî girîng rêveberiya hegera HIG e. Di derheqê Mekanîzma Termê ya Aluminium ya Nitride, gelek lêkolîn li malê û derveyî de hatîye kirin, û pergalek bi tevahî ya teorîk pêk tê. Mekanîzmaya sereke ev e: vibration bi riya lattice, ango, veguhestina germê bi alîkariya pêlên lattice an pêlên germê. Encamên mekanîka quantum ji me re vedibêjin ku pêlên lattice dikarin wekî tevgera parçeyek, fononek were pêvajoyê. Wavesên germê jî bi dualîbûna part-parçeyî hene. Phonesonên germbûnê germê germ di navbêna sînorkirî û hevrêzên hevrêzî de di navbera radîkalên strukturî (atom, ions, an molekul) de veguhestin. Heke kristal bi strukturek bêkêmasî ya bêkêmasî ye, germê dikare bi serbestî bi dawiya krîza germ ve bê veguhastin û bê navber û belavbûn, û konsepta germî dikare bigihîje nirxek pir zêde. Conductiveryiya wê ya wê bi piranî ji kêmasiyên kristal û phonon ji hêla fonan ve bi xwe ve tê kontrol kirin.

Teorîk, dirûvê germî ya Aln dikare bigihîje 320w · m-1 · K-1, lê ji ber kêmasiyên li AlnoMî yê substrateya seramîk a Aluminium ji 200W · M-1 · K-1. Ev bi piranî ji ber vê yekê ye ku prîmên struktural ên di nav kristal de nekare belavokek yekgirtî ya bi tevahî hişk, û her deverên cihêreng ên hişk û hişk hene, lewra ku phononên heyî di dema belavkirinê de tengahî û belav bibin.